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产品简介:
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NTB75N06LT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于需要高效能和高可靠性的场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于高效能能量转换。 2. 电机控制:用于无刷直流电机驱动、电动工具、电动车控制器等场合,实现对电机的快速开关控制。 3. 负载开关:在工业控制和消费电子中作为高侧或低侧开关,控制负载的通断。 4. 逆变器与变频器:用于太阳能逆变器、UPS系统及变频家电中,实现电能形式的转换与调节。 5. 电池管理系统(BMS):在储能系统和电动汽车中用于电池充放电控制与保护。 该MOSFET采用TO-220封装,便于散热,适合中高功率应用,具备良好的热稳定性和耐用性,是工业与消费类电子产品中的常用器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTB75N06LT4G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4370pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 37.5A,5V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 2.4W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Ta) |