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  • 型号: NTB75N06LT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTB75N06LT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB75N06LT4G价格参考。ON SemiconductorNTB75N06LT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTB75N06LT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTB75N06LT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTB75N06LT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于需要高效能和高可靠性的场景。

主要应用场景包括:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于高效能能量转换。
2. 电机控制:用于无刷直流电机驱动、电动工具、电动车控制器等场合,实现对电机的快速开关控制。
3. 负载开关:在工业控制和消费电子中作为高侧或低侧开关,控制负载的通断。
4. 逆变器与变频器:用于太阳能逆变器、UPS系统及变频家电中,实现电能形式的转换与调节。
5. 电池管理系统(BMS):在储能系统和电动汽车中用于电池充放电控制与保护。

该MOSFET采用TO-220封装,便于散热,适合中高功率应用,具备良好的热稳定性和耐用性,是工业与消费类电子产品中的常用器件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NTB75N06LT4G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4370pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

92nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11 毫欧 @ 37.5A,5V

供应商器件封装

D2PAK

功率-最大值

2.4W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Ta)

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