Datasheet下载- 型号： SI5855DC-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5855DC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5855DC-T1-E3价格参考。VishaySI5855DC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5855DC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5855DC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5855DC-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于需要高效能和小尺寸封装的场合。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、电池供电设备中的电源开关，提高系统能效。 2. 负载开关：在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中作为负载开关，控制电源通断，降低待机功耗。 3. 电机控制：用于小型电机或继电器的驱动控制，实现快速开关操作。 4. 工业控制系统：如 PLC、传感器模块等，用于信号切换或功率控制。 5. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块等对可靠性要求较高的环境中。 该 MOSFET 采用小型封装（如 TSOP），适合高密度 PCB 设计，广泛应用于消费电子、工业和汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8MOSFET 20V 3.6A 2.1W 110mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5855DC-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5855DC-T1-E3SI5855DC-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5855DC-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 110 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 2.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
| 零件号别名 | SI5855DC-E3 |
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