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  • 型号: PSMN4R4-30MLC,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R4-30MLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R4-30MLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R4-30MLC,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN4R4-30MLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN4R4-30MLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PSMN4R4-30MLC,115 是一款功率 MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。其主要应用场景包括:

1. 电源转换器:适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,因其低导通电阻(Rds(on))和高效率特性,有助于提升能源利用率。

2. 电机控制:用于电动工具、工业自动化设备和家用电器中的直流电机驱动电路,提供快速开关和良好热稳定性。

3. 负载开关:作为高效电子开关用于管理电池供电设备中的电源分配,例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。

4. 照明系统:在LED照明驱动电路中使用,支持高频率开关操作,提升调光精度和系统效率。

5. 汽车电子:适用于车载充电系统、车身控制模块等对可靠性要求高的场景,符合AEC-Q101汽车级标准。

该器件采用TISON封装,具备优良的热管理和小型化设计,适合高密度PCB布局。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平栅极,4.5V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PSMN4R4-30MLC,115

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.15V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1515pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.65 欧姆 @ 25A,10V

供应商器件封装

LFPAK33

其它名称

568-9576-1

功率-最大值

69W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 根引线)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

70A (Tc)

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