Datasheet下载- 型号： PSMN4R4-30MLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R4-30MLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R4-30MLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R4-30MLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN4R4-30MLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN4R4-30MLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN4R4-30MLC,115是一款30V、4.4mΩ（典型值）的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具备低导通电阻、高功率密度和优异热性能。其主要应用场景包括： - 电源管理：广泛用于DC-DC转换器（如同步降压Buck电路）的高边/低边开关，提升效率与功率密度； - 负载开关：适用于主板、笔记本电脑、工业控制板等中的智能电源分配与热插拔保护； - 电机驱动：驱动小型直流电机、步进电机或风扇控制器（如服务器散热风扇），支持PWM调速； - 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径控制、反向电流阻断及过流保护； - LED驱动与照明：作为恒流调节开关或调光MOSFET，适用于智能LED驱动模块； - 汽车电子：通过AEC-Q101认证，适用于车载USB充电口、车灯控制、车身控制模块（BCM）等12V系统中对可靠性与高温性能要求较高的场景。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS=2.5V即可充分导通），兼容3.3V/5V MCU直接驱动，简化外围电路设计；LFPAK56封装提供优于传统SO-8的热阻（Rth(j–mb) ≈ 1.9°C/W），适合空间受限且需良好散热的应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN4R4-30MLC,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1515pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.65 欧姆 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 其它名称 | 568-9576-1 |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1210， 8-LFPAK33 （5 根引线） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70A （Tc） |
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