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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75542P3由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75542P3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75542P3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HUF75542P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HUF75542P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75542P3 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于高效率电源转换和功率控制应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,支持高效能、低损耗的电源系统设计。 2. 电机驱动:用于电机控制电路中,作为开关元件,提供快速开关响应和低导通电阻。 3. 电池供电设备:广泛应用于笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的电源管理系统。 4. 汽车电子:在车载电源系统、LED照明驱动和电机控制模块中,提供稳定可靠的功率开关功能。 5. 工业控制:用于工业自动化设备中的电源切换、负载控制和保护电路。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(Vds)和良好热性能,适合高频率开关操作,有助于提高系统效率并减小电路体积。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 75A TO-220ABMOSFET 75a 80V N-Ch UltraFET 0.014 Ohm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 75 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75542P3UltraFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | HUF75542P3 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 230 W |
Pd-功率耗散 | 230 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 117 ns |
下降时间 | 80 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2750pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 20V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 75A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
功率-最大值 | 230W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 14 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 80 V |
漏极连续电流 | 75 A |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
系列 | HUF75542 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | HUF75542P3_NL |