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  • 型号: IRF830ALPBF
  • 制造商: Vishay
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IRF830ALPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF830ALPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF830ALPBF价格参考。VishayIRF830ALPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) I2PAK。您可以下载IRF830ALPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF830ALPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5 A

Id-连续漏极电流

5 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF830ALPBF-

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产品型号

IRF830ALPBFIRF830ALPBF

Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.4 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.4 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

21 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

620pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.4 欧姆 @ 3A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I2PAK

其它名称

*IRF830ALPBF

典型关闭延迟时间

21 ns

功率-最大值

3.1W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

I2PAK-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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