Datasheet下载- 型号： FDD2512
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD2512由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD2512价格参考。Fairchild SemiconductorFDD2512封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD2512参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD2512 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD2512 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于需要高效功率开关的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源适配器、电池充电器等，具备低导通电阻和高效率特性，有助于提高能源利用率。 2. 电机控制：用于直流电机、步进电机等的驱动电路中，具备高耐压和大电流承载能力，适合工业自动化与机器人控制。 3. 负载开关：作为电子开关用于控制高功率负载，如LED照明、加热元件和风扇等。 4. 汽车电子：因其可靠性和耐用性，适用于车载电源系统、电动工具及电动车控制系统。 5. 工业设备：在工业自动化设备、PLC、伺服驱动器等中作为功率开关元件使用。 该器件采用先进的工艺制造，具备良好的热稳定性和快速开关特性，适用于高频率开关应用。其封装形式为DPAK，便于散热和安装，适合各种中高功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD2512 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 344pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 420 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.7A （Ta） |
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