Datasheet下载- 型号： BSP129H6327XTSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP129H6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP129H6327XTSA1价格参考￥1.37-￥1.37。InfineonBSP129H6327XTSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSP129H6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP129H6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的BSP129H6327XTSA1是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场合。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适用于便携式设备和高密度电源设计。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）和同步整流电路中，提升电源转换效率，降低能耗。 2. 电池供电设备：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子产品中的负载开关和电源切换，因其低静态电流和小型封装，有助于延长电池续航。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机控制中作为开关元件，实现精确控制与节能运行。 4. LED驱动：用于背光驱动或照明系统中的恒流控制，确保亮度稳定且高效。 5. 消费类电子与工业控制：适用于各类开关电源（SMPS）、电源适配器、充电器及工业低功率控制系统。 该MOSFET采用PG-SOT23-3小型表面贴装封装，节省PCB空间，适合高密度组装。其高可靠性和优良的电气性能使其在要求严苛的环境中仍能稳定工作，是现代电子设备中理想的功率开关选择。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Depletion |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 0.35 A |
| Id-连续漏极电流 | 350 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal 240V 6Ohm 350mA |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30432313ff5e012337261e2263ed |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP129H6327XTSA1 |
| 产品型号 | BSP129H6327XTSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| Qg-GateCharge | 3.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 240 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 240 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.4 V |
| 上升时间 | 4.1 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.18 S |
| 系列 | BSP129 |
| 通道模式 | Depletion |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP001058580 |
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