Datasheet下载- 型号： SI8435DB-T1-E1
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8435DB-T1-E1由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8435DB-T1-E1价格参考。VishaySI8435DB-T1-E1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI8435DB-T1-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI8435DB-T1-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI8435DB-T1-E1 是一款P沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管，采用薄型SOT-23封装，具有低导通电阻和小尺寸特点。该器件适用于对空间和功耗敏感的便携式电子设备。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理开关：常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现高效节能。 2. 电压反向保护：在电源输入端用于防止反接损坏电路，广泛应用于USB接口、充电器及小型电源模块中。 3. 信号切换与电平转换：适合低电压逻辑电路中的信号通断或电平转换应用，如I²C总线隔离、GPIO扩展等。 4. 便携式消费电子产品：因其小封装和低功耗特性，广泛用于蓝牙耳机、移动电源、智能手表等产品中。 SI8435DB-T1-E1具备良好的热稳定性和可靠性，工作温度范围宽（-55°C至+150°C），适合工业级和消费级应用。其驱动简单，可直接由逻辑信号控制，无需额外驱动电路，有助于简化设计并降低成本。总体而言，该MOSFET是一款高性能、高性价比的开关元件，特别适用于小型化、低功耗电子系统中的直流电源控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI8435DB-T1-E1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 41 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 4-Microfoot |
| 其它名称 | SI8435DB-T1-E1DKR |
| 功率-最大值 | 6.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
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