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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为 IRLR014NTRPBF 的MOSFET属于N沟道功率MOSFET,常用于高效率、低电压的开关应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、快速开关速度和高可靠性,适用于以下典型应用场景: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源管理系统中,提高能量转换效率。 2. 电机驱动:在小型电机控制电路中作为高效开关,用于电动工具、风扇、泵类设备等。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备中,用于电池充放电管理和电源切换。 4. 负载开关与热插拔应用:用于服务器、通信设备中实现对负载的快速控制和保护。 5. LED照明驱动:在LED照明系统中作为调光或开关控制元件,实现高效节能。 6. 汽车电子:适用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 该MOSFET采用TSSOP封装,适合表面贴装,适用于高密度PCB布局设计。其低栅极电荷(Qg)特性有助于减少开关损耗,提高系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 10A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRLR014NTRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 265pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.9nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 6A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 28W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |