ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > SIHP33N60E-GE3
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SIHP33N60E-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP33N60E-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP33N60E-GE3价格参考。VishaySIHP33N60E-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 33A(Tc) 278W(Tc) TO-220AB。您可以下载SIHP33N60E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHP33N60E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIHP33N60E-GE3是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型器件。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):该MOSFET适用于开关模式电源中的高频开关应用,例如DC-DC转换器、PWM控制器等。其低导通电阻和高击穿电压特性使其能够在高压环境下高效运行。 2. 电机驱动:在工业控制和消费电子领域,SIHP33N60E-GE3可用于驱动中小型电机。其快速开关速度和良好的热性能有助于提高系统效率并减少能量损耗。 3. 太阳能逆变器:该器件适合用于太阳能光伏系统的逆变器中,作为功率转换的关键元件,帮助实现高效的直流到交流转换。 4. 负载切换:在需要频繁开启或关闭负载的应用中,如汽车电子、家用电器等,此MOSFET可以提供可靠的负载切换功能。 5. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,MOSFET用作功率开关以确保电力供应稳定可靠。SIHP33N60E-GE3凭借其坚固的设计和卓越的电气性能成为理想选择。 6. 电动工具:由于其耐高压能力和高效能表现,该型号也广泛应用于便携式电动工具中,为电池管理和电机控制提供支持。 总之,SIHP33N60E-GE3凭借其600V的额定电压、低RDS(on)值以及优化的动态性能,在多种功率转换和控制应用中表现出色,特别适合需要高效率和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 33A TO-220ABMOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHP33N60E-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHP33N60E-GE3SIHP33N60E-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 278 W |
| Pd-功率耗散 | 278 W |
| Qg-GateCharge | 150 nC |
| Qg-栅极电荷 | 150 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 99 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 99 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 4 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 4 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 90 ns |
| 下降时间 | 80 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3508pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 99 毫欧 @ 16.5A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | SIHP33N60EGE3 |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 功率-最大值 | 278W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | E-Series |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 33A (Tc) |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |