Datasheet下载- 型号： SI4411DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4411DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4411DY-T1-E3价格参考。VishaySI4411DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4411DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4411DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4411DY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、智能手机、平板电脑等便携式电子设备中的 DC-DC 转换器和负载开关，提高能效并减少发热。 2. 电池供电系统：在电池管理系统中作为高侧或低侧开关，用于控制电池充放电路径，保护电路免受过流或短路损害。 3. 电机控制与驱动：用于小型电机、继电器或电磁阀的开关控制，常见于工业自动化和消费类电子产品中。 4. 负载开关应用：在服务器、路由器及通信设备中，用于控制不同功能模块的电源通断，实现节能与热插拔保护。 5. 汽车电子：如车载娱乐系统、车身控制模块等，满足对可靠性和效率要求较高的场景。 该器件具有低导通电阻、小封装尺寸（TSOP），适合高密度 PCB 设计，同时具备良好的热稳定性和快速开关特性，适用于高频应用环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4411DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 13A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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