ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > MMDT5401-7-F
Datasheet下载- 型号： MMDT5401-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT5401-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT5401-7-F价格参考。Diodes Inc.MMDT5401-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 150V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载MMDT5401-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDT5401-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT5401-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列，属于低噪声放大器和通用双极型晶体管阵列。该型号的应用场景广泛，主要应用于需要高性能、高增益以及低噪声特性的电子电路中。以下是其具体应用场景： 1. 音频设备：适用于音频前置放大器、麦克风放大器等需要低噪声和高增益的场景，能够提升音质并减少信号失真。 2. 通信设备：用于无线通信系统中的信号放大和处理，例如射频（RF）模块中的低噪声放大器，确保信号传输的稳定性和清晰度。 3. 消费类电子产品：如遥控器、家用电器控制电路等，提供稳定的开关和信号放大功能。 4. 工业控制：在传感器信号调理电路中，用于将微弱的传感器信号放大到可检测的范围，同时保持低噪声特性。 5. 医疗设备：用于心电图（ECG）、脑电图（EEG）等生物信号采集设备，这些设备需要对极其微弱的生物电信号进行放大和处理。 6. 测试与测量仪器：在示波器、信号发生器等精密仪器中，作为信号放大或缓冲元件，确保测量结果的准确性。 7. 汽车电子：用于车载音响系统、传感器信号处理以及各种控制单元中的信号放大。 MMDT5401-7-F 的特点包括高增益、低噪声系数、宽频率响应以及良好的线性性能，使其非常适合上述应用场景。此外，其小型化封装设计也便于在空间受限的环境中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 150V 200MA SOT363两极晶体管 - BJT -150V 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT5401-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDT5401-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 10mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMDT5401-FDITR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 150V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 240 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MMDT5401 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 160 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.5 V |
| 集电极连续电流 | - 0.2 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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