Datasheet下载- 型号： MMBZ12VAL,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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MMBZ12VAL,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ12VAL,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ12VAL,215价格参考。NXP SemiconductorsMMBZ12VAL,215封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载MMBZ12VAL,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ12VAL,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ12VAL,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路的静电放电（ESD）防护和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为12 V，钳位电压低（约23.2 V @ 1 A），响应时间小于1 ns，具备±15 kV（接触放电）IEC 61000-4-2 ESD防护等级。 典型应用场景包括： - 便携式电子设备接口保护：如USB、HDMI、音频插孔、SIM卡槽等高速或敏感信号线，防止人体静电或系统热插拔引起的瞬态冲击； - 汽车电子模块：用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘、CAN/LIN总线终端等低压信号线路的ESD及负载突降（Load Dump）辅助防护（需配合主TVS使用）； - 工业控制与通信设备：保护MCU GPIO、传感器接口（如I²C、SPI）、RS-485收发器等易受浪涌干扰的低功耗信号端口； - 消费类电子产品：智能手机、平板电脑、可穿戴设备中空间受限区域的板级ESD防护，得益于其SOT-23小尺寸封装（2.9 × 1.3 × 1.0 mm）和双向对称特性，适用于交流耦合或双向信号路径（如耳机检测、触摸按键）。 需注意：该器件额定功率为200 mW（脉冲），不适用于持续过压或大能量浪涌（如雷击），应作为二级防护与前端保险丝/PTC及主TVS协同设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23ESD 抑制器 Diode TVS Dual/Singl 8.5V 40W 3-Pin |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NXP Semiconductors MMBZ12VAL,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ12VAL,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | 110pF @ 1MHz |
| 产品种类 | ESD 抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-8084-6 |
| 击穿电压 | 11.4 V |
| 功率-峰值脉冲 | 40W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | 1 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C （TA） |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 11.4V |
| 电压-反向关态（典型值） | 8.5V （最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 17V |
| 电容 | 110 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 2.35A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | Gull Wing Leads |
| 类型 | 齐纳 |
| 通道 | 2 Channels |
