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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ10VAL-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ10VAL-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ10VAL-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ10VAL-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ10VAL-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ10VAL-7-F 是德州仪器(Texas Instruments)生产的低电容、双向TVS(瞬态电压抑制)二极管,主要用于高速数据线和敏感电子接口的静电放电(ESD)及瞬态过压保护。其典型应用场景包括:USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、SD卡接口、I²C、SPI、UART等高速或低压数字信号线路;便携式设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中对ESD耐受性要求严苛的I/O端口;工业控制中的传感器接口、通信模块(如RS-485收发器前端);以及汽车信息娱乐系统中符合AEC-Q200标准(注:该型号本身非车规级,需确认具体批次与认证)的辅助信号保护。其关键参数包括:反向关断电压Vrwm = 10 V,击穿电压Vbr ≈ 11.1 V(min),峰值脉冲功率PPPM = 200 W(8/20 µs),极低结电容(典型值仅15 pF @ 0 V),确保对高速信号完整性影响极小。需注意:TI已于2021年将部分分立器件业务(含该型号)转移至Diodes Incorporated代工并继续供应,实际采购时建议核实最新厂商标识与规格书版本。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 6.5VWM 14.2VC SOT23-3TVS二极管阵列 10V 225mW |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,Diodes Incorporated MMBZ10VAL-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ10VAL-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBZ10VAL-FDIDKR |
| 击穿电压 | 10 V |
| 功率-峰值脉冲 | 24W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 尺寸 | 2.9 mm W x 1.3 mm L x 1 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 1.7 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 24 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 工作电压 | 6.5 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 9.5V |
| 电压-反向关态(典型值) | 6.5V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 14.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1.7A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | MMBZ10 |
| 通道 | 2 Channels |
| 钳位电压 | 14.2 V |