Datasheet下载- 型号： MXLSMCJ5.0AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MXLSMCJ5.0AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MXLSMCJ5.0AE3价格参考。MICRO-SEMIMXLSMCJ5.0AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MXLSMCJ5.0AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MXLSMCJ5.0AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology的一部分）生产的MXLSMCJ5.0AE3是一款TVS（瞬态电压抑制器）二极管，主要用于保护电子设备免受过电压瞬变的损害。以下是该型号的应用场景： 1. 电源保护：在电源输入端使用MXLSMCJ5.0AE3可以有效防止由于雷击、开关噪声或其他原因引起的电压浪涌，从而保护敏感的电源电路。 2. 数据线保护：用于保护通信接口（如USB、RS-232、以太网等）免受静电放电（ESD）和电压瞬变的影响，确保数据传输的稳定性和可靠性。 3. 信号线路保护：在模拟或数字信号线路中，该TVS二极管可以防止外部干扰导致的信号失真或损坏。 4. 汽车电子系统：在汽车环境中，由于点火系统和其他电气组件可能产生电压瞬变，MXLSMCJ5.0AE3可用于保护车载电子控制系统、传感器和通信模块。 5. 工业控制设备：在工业自动化领域，该器件可用于保护可编程逻辑控制器（PLC）、传感器和执行器免受电磁干扰（EMI）和电压波动的影响。 6. 消费电子产品：在手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，用于保护内部电路免受ESD和电压瞬变的损害，提高产品的耐用性和安全性。 7. 医疗设备：在医疗仪器中，确保设备在高压瞬变环境下仍能正常工作，保障患者安全和数据准确性。 MXLSMCJ5.0AE3具有低电容、快速响应时间和高浪涌能力的特点，使其非常适合上述应用场景。通过提供有效的过电压保护，它能够显著提高电子系统的可靠性和寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10561-msmc-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MXLSMCJ5.0AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-214AB （SMCJ） |
| 其它名称 | 1086-12154 |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W （1.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.4V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 9.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 163A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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