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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N6112US由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N6112US价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N6112US封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N6112US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N6112US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip Technology子公司)的1N6112US是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和其它瞬态电压的危害。 该器件采用单向TVS结构,具有较高的击穿电压与较强的瞬态吸收能力,适用于对电压波动敏感的电路中。其典型应用场景包括: 1. 通信设备:用于保护以太网接口、RS-232/RS-485等通信端口免受静电和雷击浪涌干扰。 2. 工业控制系统:在PLC、传感器和自动化设备中提供电源线或信号线的瞬态保护。 3. 消费电子产品:如电视机、机顶盒、电源适配器等,用于提高系统可靠性与抗干扰能力。 4. 汽车电子:应用于车载电源系统或外部接口(如OBD-II),防止因负载突变或静电引起的损坏。 5. 电源模块:作为输入或输出端口的保护元件,增强电源系统的稳定性与寿命。 1N6112US具备较大的峰值脉冲功率容量,适合用于中高能量的瞬态抑制场合。因其封装小巧(DO-213AB / SOD-106),也便于在空间受限的设计中使用。 总结而言,1N6112US广泛应用于需要高可靠性和稳定性的电子系统中,起到关键的电路保护作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 13.7VWM SQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/127892-lds-0277-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N6112US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF, B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 16.25V |
| 电压-反向关态(典型值) | 13.7V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 26.36V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 18.91A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |