ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > IMT4T108
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IMT4T108产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IMT4T108由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMT4T108价格参考。ROHM SemiconductorIMT4T108封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 50mA 140MHz 300mW Surface Mount SMT6。您可以下载IMT4T108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMT4T108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的IMT4T108是一款双极晶体管(BJT)阵列,具有多种应用场景。这款器件由四个独立的NPN晶体管组成,适用于需要多个晶体管协同工作的电路设计。以下是其主要应用场景: 1. 信号放大 IMT4T108中的每个晶体管都可以用于信号放大。它能够将微弱的输入信号放大到足够的强度,以驱动后续电路或负载。这种应用常见于音频设备、传感器信号处理等场景。 2. 开关控制 该器件可以作为开关使用,尤其是在需要高电流驱动的应用中。例如,在电源管理电路中,IMT4T108可以用来控制继电器、LED、小型电机等负载的通断。由于其低饱和电压和快速开关特性,它在这些应用中表现出色。 3. 多通道驱动 IMT4T108包含四个晶体管,因此非常适合用于多通道驱动应用。例如,在LED显示面板或多路传感器接口中,每个晶体管可以分别控制一个通道,实现对多个负载的同时控制。 4. 逻辑电路 在一些简单的数字逻辑电路中,IMT4T108可以用作基本的逻辑门电路。通过组合多个晶体管,可以构建AND、OR、NOT等逻辑功能,适用于小型嵌入式系统或DIY项目。 5. 保护电路 IMT4T108还可以用于设计过流保护电路。通过检测电流大小并控制晶体管的导通状态,可以在电流超过设定值时切断电路,保护其他敏感元件免受损坏。 6. 音频功率放大 在一些小型音频设备中,IMT4T108可以用于构建功率放大器,驱动扬声器或其他音频输出设备。其良好的线性度和低失真特性使其成为这类应用的理想选择。 总的来说,IMT4T108凭借其紧凑的封装和高性能参数,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要多晶体管协同工作的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS DUAL PNP 120V 50MA 6SMT两极晶体管 - BJT DUAL PNP 120V 50MA SOT-457 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor IMT4T108- |
数据手册 | |
产品型号 | IMT4T108 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 1mA,10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 180 @ 2mA,6V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | Transistors |
供应商器件封装 | SMT6 |
其它名称 | IMT4T108DKR |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
增益带宽产品fT | 140 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SC-74 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | 2 PNP(双) |
最大功率耗散 | 300 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 120V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 820 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 120 V |
集电极—基极电压VCBO | - 120 V |
集电极连续电流 | - 50 mA |
频率-跃迁 | 140MHz |