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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC846BPDW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC846BPDW1T1G价格参考。ON SemiconductorBC846BPDW1T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC846BPDW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC846BPDW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC846BPDW1T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,属于NPN型晶体管,采用SOT-363(SC-88)小尺寸封装,具有两个独立的晶体管单元。该器件具有低功耗、高增益和快速开关特性,适用于空间受限的便携式电子设备。 典型应用场景包括: 1. 信号放大:在音频或小信号处理电路中作为前置放大器使用,适用于消费类电子产品如耳机放大器、麦克风前置电路等。 2. 开关控制:广泛用于电源管理、LED驱动、继电器或逻辑电平转换等开关应用,适合电池供电设备中的节能设计。 3. 数字逻辑电路:在便携式通信设备(如智能手机、平板电脑)中用于构建简单的逻辑门或驱动接口电路。 4. 传感器接口:用于将传感器微弱信号进行放大或电平转换,常见于工业控制、智能家居和可穿戴设备中。 由于其小型化封装和高可靠性,BC846BPDW1T1G特别适用于高密度PCB布局和对体积要求严格的便携式电子产品。同时,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适合现代绿色电子产品制造。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 65V 100MA SOT363两极晶体管 - BJT 100mA 80V Dual Complementary |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC846BPDW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC846BPDW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | BC846BPDW1T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V at NPN, 5 V at PNP |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN,PNP |
| 最大功率耗散 | 380 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 65V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 |
| 系列 | BC846BPDW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 65 V, + 65 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 80 V, + 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |