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PMP5201G,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMP5201G,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMP5201G,115价格参考。NXP SemiconductorsPMP5201G,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP(双)配对,共发射极 45V 100mA 175MHz 300mW 表面贴装 5-TSSOP。您可以下载PMP5201G,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMP5201G,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PMP5201G,115 是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要多个晶体管集成封装以实现空间节省和电路简化的应用场景中。 该器件主要适用于以下应用场景: 1. 电源管理电路:如DC-DC转换器、负载开关和稳压电路,利用其高可靠性和低饱和压降特性,提高电源效率。 2. 电机驱动与继电器驱动:PMP5201G,115 可用于控制小型电机、继电器或电磁阀,适用于工业自动化和家电控制电路。 3. LED驱动与照明控制:在LED背光、指示灯或智能照明系统中,用于电流开关或调光控制。 4. 逻辑接口与信号切换:作为数字电路中的开关元件,连接微控制器与外围设备,实现信号隔离或电平转换。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等对空间敏感的产品中,利用其小型封装和集成优势。 6. 汽车电子系统:包括车身控制模块、传感器接口、车载娱乐系统等,满足汽车应用中对稳定性和可靠性的要求。 该器件采用小型DFN封装,具有高集成度和良好的热性能,适用于高密度PCB布局和自动化生产流程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS DUAL PNP 45V 100MA 5TSSOP两极晶体管 - BJT MATCHED PAIR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMP5201G,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PMP5201G,115 |
PCN封装 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 5-TSSOP |
其它名称 | 568-7431-2 |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 175 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 |
封装/箱体 | SOT-353 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | 2 PNP(双)配对,共发射极 |
最大功率耗散 | 300 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 2 mA at 5 V |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
零件号别名 | PMP5201G T/R |
频率-跃迁 | 175MHz |