ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > UMX1NTN
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
UMX1NTN产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供UMX1NTN由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMX1NTN价格参考¥0.34-¥0.34。ROHM SemiconductorUMX1NTN封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount UMT6。您可以下载UMX1NTN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UMX1NTN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的UMX1NTN是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要多个晶体管集成以实现空间节省和电路简化的电子系统中。 该器件主要应用场景包括: 1. 通用开关电路:适用于数字电路中的逻辑控制、继电器驱动或LED指示灯控制等低功率开关应用。 2. 放大器电路:可用于音频或信号放大电路中,作为前置放大或驱动级使用,尤其适合对电路布局紧凑性有要求的设计。 3. 嵌入式系统与工业控制:在PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口、小型电机驱动等工业自动化设备中广泛使用,提供可靠的信号处理和控制功能。 4. 消费类电子产品:如家用电器、智能玩具、小家电等产品中的电源管理与信号切换模块。 5. 汽车电子:由于ROHM的产品通常具有较好的温度适应性和可靠性,UMX1NTN也可用于车载系统的辅助电路中,例如车灯控制、仪表显示驱动等。 UMX1NTN采用小型封装,集成两个NPN晶体管,适合高密度PCB设计,有助于减少元件数量和提升整体系统稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 50V 150MA 6UMT两极晶体管 - BJT DUAL NPN 50V 150MA SOT-363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor UMX1NTN- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | UMX1NTN |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
| 其它名称 | UMX1NTNCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | UM-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 150 mA |
| 频率-跃迁 | 180MHz |