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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC846DS,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC846DS,115价格参考。NXP SemiconductorsBC846DS,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC846DS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC846DS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BC846DS,115 是一款双极结型晶体管(BJT)阵列,属于 NPN 型晶体管,采用 SOT-363 小型封装,适用于高密度、空间受限的电路设计。该器件集成了两个独立的 BC846D 晶体管,具有高增益和低噪声特性,最大集电极电流为 100mA,适合中低功率应用。 BC846DS,115 广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,常用于信号放大、开关控制和逻辑接口电路。其小型化封装使其特别适合在 PCB 空间有限的场合使用,例如电源管理模块、LED 驱动电路和传感器信号调理电路。 此外,该型号也常见于工业控制、通信设备和汽车电子中的辅助电路,如继电器驱动、电平转换和小信号处理。由于其良好的温度稳定性和可靠性,BC846DS,115 能在较宽的环境温度范围内稳定工作,满足工业级和汽车级应用的部分需求。 总之,BC846DS,115 凭借其紧凑设计、高性能和高可靠性,广泛适用于需要小型化、低功耗和高效信号控制的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS 2NPN 65V 100MA 6TSOP两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC846DS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC846DS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-11091-1 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 200 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 65V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 15nA (ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 65 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |