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  • 型号: BCP56-16T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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BCP56-16T1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BCP56-16T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCP56-16T1G价格参考。ON SemiconductorBCP56-16T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 130MHz 1.5W Surface Mount SOT-223。您可以下载BCP56-16T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCP56-16T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BCP56-16T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款PNP型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。该器件常用于需要中等电流和电压控制的电子电路中。

主要应用场景包括:  
1. 开关电路:适用于电源开关、继电器驱动、LED驱动等数字控制开关场合,因其具备良好的饱和导通特性,可高效实现通断控制。  
2. 信号放大:在音频信号处理、传感器信号调理等模拟电路中,作为小信号放大器使用,提供稳定的增益性能。  
3. 电源管理:常见于DC-DC转换器、稳压电路和负载控制模块中,配合其他元件实现电压调节与电流控制。  
4. 消费类电子产品:广泛应用于电视、机顶盒、家用电器控制板等设备中的接口驱动和逻辑控制部分。  
5. 工业控制:用于PLC模块、电机驱动电路和各类工业自动化设备中的信号切换与功率控制。  

BCP56-16T1G采用SOT-223封装,具有良好的热稳定性和可靠性,适合表面贴装工艺,便于自动化生产。其最大集电极电流达1A,最高集射极电压为64V,具备较高的直流电流增益和较低的饱和压降,兼顾效率与性能。  

综上,该型号晶体管适用于对稳定性与性价比有要求的中低功率应用场景,是工业、消费类及通信设备中常用的通用型BJT器件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 80V 1A SOT223两极晶体管 - BJT 1A 100V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BCP56-16T1G-

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产品型号

BCP56-16T1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 150mA,2V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-223

其它名称

BCP56-16T1GOSTR
BCP5616T1G

功率-最大值

1.5W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

130 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-4

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

1.5 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流集电极/BaseGainhfeMin

25

系列

BCP56

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

100 V

集电极—射极饱和电压

0.5 V

集电极连续电流

1 A

频率-跃迁

130MHz

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