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  • 型号: PBSS3515E,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS3515E,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS3515E,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS3515E,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS3515E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS3515E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为PBSS3515E,115的晶体管由品牌NXP USA Inc.生产,属于双极型晶体管(BJT)中的单管类型。该器件是一款NPN型高频晶体管,具有良好的开关特性和较高的电流放大系数,适用于需要高效能和快速响应的电子电路中。

该晶体管的典型应用场景包括:

1. 功率开关电路:由于其具备较高的电流承载能力和快速开关特性,常用于DC-DC转换器、电源管理模块和负载开关中。

2. 射频(RF)放大器:适合用于低噪声、中高频的信号放大,如无线通信模块中的前置放大器或驱动放大器。

3. 音频放大器:在音响设备中作为前置放大或驱动级使用,提供良好的信号增益和失真控制。

4. 数字逻辑电路:用于逻辑电平转换、缓冲器或驱动LED、继电器等负载。

5. 工业控制与汽车电子:得益于NXP产品一贯的高可靠性,该晶体管也适用于工业自动化设备及汽车电子系统中的信号处理与功率控制部分。

总之,PBSS3515E,115凭借其高性能和广泛适用性,是许多模拟和混合信号应用中的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PNP 15V SOT416

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PBSS3515E,115

PCN封装

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

150 @ 100mA,2V

供应商器件封装

SC-75

其它名称

568-6387-6

功率-最大值

250mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-75,SOT-416

晶体管类型

PNP

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

15V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

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