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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MBT3946DW1T2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBT3946DW1T2G价格参考。ON SemiconductorMBT3946DW1T2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MBT3946DW1T2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBT3946DW1T2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBT3946DW1T2G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT)阵列器件,属于小信号晶体管阵列。该器件内部包含两个独立的NPN晶体管,常用于需要多个晶体管配合工作的电路中。 主要应用场景包括: 1. 开关电路:适用于数字电路中的逻辑开关、负载开关等场景,因其响应速度快、驱动能力强。 2. 放大电路:用于音频信号或小信号的前置放大,适合低功率模拟电路设计。 3. 接口电路:在微控制器与外围设备之间作为电平转换或驱动缓冲使用。 4. LED驱动:可用来控制LED灯组的通断,尤其适用于多路LED控制场合。 5. 继电器或电机驱动:作为低功率继电器或小型直流电机的控制开关。 6. 工业控制和消费类电子产品:如电源管理模块、传感器接口、通信设备等。 该器件采用SOT-363封装,体积小、便于贴片安装,适合高密度PCB布局。其优良的稳定性和可靠性使其广泛应用于工业控制、汽车电子及消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V 200MA SOT363两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual Complementary |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MBT3946DW1T2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBT3946DW1T2G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MBT3946DW1T2GOSDKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V at NPN, 5 V at PNP |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz, 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN,PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
| 系列 | MBT3946DW1T1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V, 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.4 V, + 0.3 V |
| 集电极连续电流 | 0.2 A |
| 零件号别名 | MBT3946DW1T1G |
| 频率-跃迁 | 300MHz,250MHz |