ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > DMN65D8LDW-7
Datasheet下载- 型号： DMN65D8LDW-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN65D8LDW-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN65D8LDW-7价格参考。Diodes Inc.DMN65D8LDW-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 180mA 300mW 表面贴装 SOT-363。您可以下载DMN65D8LDW-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN65D8LDW-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN65D8LDW-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管，属于 FET、MOSFET 阵列类别。这款器件的主要应用场景包括但不限于以下方面： 1. 电源管理： DMN65D8LDW-7 适用于各种电源管理电路，例如 DC-DC 转换器、负载开关和 LDO（低压差线性稳压器）。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。 2. 电池保护与管理： 在便携式设备中，该 MOSFET 可用于电池保护电路，控制充电和放电路径，防止过流、短路或过压等情况对电池造成损害。 3. 电机驱动： 这款 MOSFET 可用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机等。它能够提供高效的开关性能，支持精确的电流控制。 4. 信号切换与隔离： 在通信和数据传输领域，DMN65D8LDW-7 可用作信号切换器件，实现不同信号路径之间的快速切换和隔离。 5. 消费电子设备： 包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子产品，其中需要高效的小型化 MOSFET 来优化空间利用率并降低功耗。 6. 工业控制： 在工业自动化系统中，该器件可用于控制继电器、传感器接口以及执行器驱动等应用，确保稳定可靠的运行。 7. 汽车电子： 尽管 DMN65D8LDW-7 主要针对消费类市场，但在某些非关键汽车子系统（如车内照明、娱乐系统）中也可能被采用。 总之，DMN65D8LDW-7 凭借其高性能、小封装和可靠性，广泛应用于需要高效开关和低功耗特性的各种场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN65D8LDW-7 |
| PCN其它 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 22pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.87nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 欧姆 @ 115mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DMN65D8LDW-7DICT |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180mA |
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