Datasheet下载- 型号： PUMT1,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMT1,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMT1,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMT1,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PUMT1,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMT1,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMT1,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-363（SC-88）封装，内含两个独立的通用 NPN 晶体管（共发射极配置），具有低饱和电压、高电流增益（hFE）、小尺寸及优良开关特性。 其典型应用场景包括： 🔹 便携式电子设备中的信号切换与逻辑电平转换（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备），利用其低功耗和快速开关能力驱动LED、蜂鸣器或I/O扩展电路； 🔹 电源管理模块中的负载开关与使能控制，例如为传感器、射频模块等外围器件提供受控供电通断； 🔹 工业与汽车电子中的接口缓冲/驱动电路（符合AEC-Q101可靠性标准），用于MCU GPIO扩展、继电器/小功率MOSFET栅极驱动； 🔹 消费类家电的电机控制辅助电路（如直流小风扇调速、步进电机相位驱动的前级放大）； 🔹 通信设备中的简单信号整形与脉冲放大（如红外接收前端、UART电平调理）。 该器件支持±100 mA集电极电流（IC），VCEO=45 V，fT≈100 MHz，适用于中低频（≤10 MHz）开关与放大场景，不适用于高频射频或大功率输出。其双通道结构节省PCB面积，简化设计，是成本敏感、空间受限应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 40V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT DUAL PNP 40V 100mA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PUMT1,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMT1,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-11288-2 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 120 at 1 mA at 6 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 at 1 mA at 6 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMT1 T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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