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  • 型号: SBC847CDW1T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SBC847CDW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBC847CDW1T1G价格参考。ON SemiconductorSBC847CDW1T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SBC847CDW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SBC847CDW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的SBC847CDW1T1G是一款双极结型晶体管(BJT)阵列,内部集成了两个NPN晶体管,采用SC-70(SOT-323)小尺寸封装,具有高集成度和节省空间的优点。该器件广泛应用于需要小型化、低功耗和高可靠性的电子系统中。

典型应用场景包括:便携式消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备)中的信号开关与电平转换;电源管理电路中的驱动控制;LED指示灯或背光驱动;以及各类低功率放大和逻辑接口电路。由于其匹配良好的晶体管对称性,也适用于差分放大器或互补驱动电路设计。

SBC847CDW1T1G具备较高的直流电流增益和快速开关特性,适合高频开关应用。同时,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造。其小尺寸封装特别适合高密度PCB布局,是空间受限应用的理想选择。

综上,SBC847CDW1T1G主要应用于消费电子、通信设备、工业控制及便携式设备中的信号处理、开关控制和驱动电路,兼顾性能与微型化需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

SBC847CDW1T1G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

420 @ 2mA,5V

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

功率-最大值

380mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

晶体管类型

2 NPN(双)

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

15nA (ICBO)

频率-跃迁

100MHz

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