ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDS6681Z
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Datasheet下载- 型号： FDS6681Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6681Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6681Z价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6681Z封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载FDS6681Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6681Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FDS6681Z是一款N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效、低功耗开关性能的场景。该器件采用先进的TrenchFET®技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适用于便携式电子设备和电源管理系统。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流电路中，提升转换效率，降低能量损耗； 2. 负载开关：在电池供电设备中作为电源开关，控制电源通断，防止反向电流，延长电池寿命； 3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，实现快速响应与低功耗控制； 4. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的电源模块，用于电压调节和电源分配； 5. 热插拔电路：在支持热插拔的接口（如USB、PCIe）中限制浪涌电流，保护系统安全； 6. LED驱动：用于恒流或开关型LED照明控制，提高能效和响应速度。 FDS6681Z采用紧凑的PowerPAK® SO-8封装，节省PCB空间，适合高密度布局设计。其优异的开关特性和热性能，使其在中低功率应用中表现出色，是现代电子设备中理想的功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 20A SO-8MOSFET 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6681ZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS6681Z |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 380 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7540pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 260nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | FDS6681ZDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 660 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 79 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
| 系列 | FDS6681Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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