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  • 型号: HN3C51F-BL(TE85L,F
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HN3C51F-BL(TE85L,F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN3C51F-BL(TE85L,F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.HN3C51F-BL(TE85L,F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HN3C51F-BL(TE85L,F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HN3C51F-BL(TE85L,F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Toshiba Semiconductor and Storage(东芝半导体与存储)生产的HN3C51F-BL(TE85L,F)是一款晶体管阵列,属于双极型晶体管(BJT)类别。该型号的晶体管阵列具有多个独立的BJT单元,广泛应用于需要多路信号控制、驱动和开关的场景中。以下是其主要应用场景:

 1. 电机驱动与控制
   - HN3C51F-BL可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。通过阵列中的多个晶体管分别控制电机的不同相位或方向,实现精准的速度和方向调节。
   - 适用于家用电器(如风扇、水泵)、玩具电机和自动化设备中的电机控制。

 2. 继电器驱动
   - 在需要同时驱动多个继电器的应用中,该晶体管阵列可以为每个继电器提供单独的驱动电流。例如,在工业控制系统或智能家居设备中,用于控制灯光、电源开关或其他负载。

 3. LED驱动与显示控制
   - 该晶体管阵列可用于驱动多组LED灯,特别是在需要亮度调节或动态显示效果的场景中。例如,数码管显示器、指示灯阵列或广告牌照明。

 4. 音频信号放大
   - 在低功率音频设备中,HN3C51F-BL可以用于信号放大,例如耳机放大器、小型扬声器驱动等。通过阵列中的多个晶体管实现多通道音频输出。

 5. 传感器信号处理
   - 在传感器信号采集与处理系统中,该晶体管阵列可用于信号放大、滤波或转换。例如,温度传感器、压力传感器或光电传感器的信号调理电路。

 6. 逻辑电路扩展
   - 在数字电路设计中,HN3C51F-BL可以用作逻辑电平转换或信号隔离器件,将微控制器的输出信号放大到更高的驱动能力,以驱动外部负载。

 7. 汽车电子应用
   - 该晶体管阵列可用于汽车电子系统中,例如车窗升降器、雨刷控制、车内照明控制等。其多通道特性适合需要同时控制多个功能的场景。

 总结
HN3C51F-BL(TE85L,F)凭借其多通道设计和稳定的性能,适用于多种需要多路信号处理、驱动和控制的场景。无论是消费电子产品、工业自动化设备还是汽车电子领域,这款晶体管阵列都能提供可靠的解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

Toshiba

产品目录

半导体

描述

两极晶体管 - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A

产品分类

分离式半导体

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=HN3C51F&lang=en

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba HN3C51F-BL(TE85L,F

产品型号

HN3C51F-BL(TE85L,F

产品种类

两极晶体管 - BJT

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Toshiba

增益带宽产品fT

100 MHz

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/箱体

SOT-26

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

最大功率耗散

300 mW

最大直流电集电极电流

100 mA

直流电流增益hFE最大值

700

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

120 V

集电极—基极电压VCBO

120 V

集电极—射极饱和电压

0.3 V

集电极连续电流

100 mA

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