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产品简介:
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ZXTD09N50DE6TC是Diodes Incorporated生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列器件,属于高电压达林顿晶体管阵列,具有高耐压和高电流增益特性。该器件常用于需要驱动较高负载或实现电平转换的中低频应用场合。 典型应用场景包括:工业控制系统的继电器或电磁阀驱动电路,其中其高电压耐受能力(500V)可有效保护控制端;在电源管理和开关电路中作为缓冲或驱动级,提升信号驱动能力;适用于电机控制模块中的功率驱动部分,尤其适合直流电机启停控制;还可用于LED显示驱动、打印机、扫描仪等办公设备中的多路负载控制。此外,在需要电气隔离与信号放大的接口电路中,该器件也能发挥良好作用。 由于采用SOT-26封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、工业自动化、家用电器及汽车电子外围控制模块中。其内置续流二极管设计,有助于抑制感性负载关断时产生的反向电动势,提高系统可靠性。总体而言,ZXTD09N50DE6TC是一款适用于中高压、中功率开关与驱动应用的稳定可靠的达林顿阵列晶体管。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 50V 1A SOT23-6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | ZXTD09N50DE6TC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 270mV @ 50mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,2V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 10nA |
| 频率-跃迁 | 215MHz |