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MBT6429DW1T1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MBT6429DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBT6429DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMBT6429DW1T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 200mA 700MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MBT6429DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBT6429DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBT6429DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极性晶体管 (BJT) 阵列。该型号属于晶体管阵列系列,集成了多个 BJT 晶体管单元,适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景: 1. 信号放大 - MBT6429DW1T1G 可用于音频、射频或其他信号的放大电路中。其内置的多个 BJT 单元可以实现多级信号放大,适合需要高增益和低噪声的应用。 - 例如,在音频设备中,它可以用于前置放大器或功率放大器的驱动级。 2. 开关电路 - 该器件支持高速开关操作,可应用于各种开关电路,如继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制。 - 在数字电路中,它可以用作逻辑电平转换或驱动高电流负载。 3. 电源管理 - 在电源管理领域,MBT6429DW1T1G 可用于线性稳压器中的调整管或保护电路中的限流元件。 - 它还可以用作电池充电电路中的电流检测或控制元件。 4. 传感器接口 - 该器件可用于传感器信号的调理和放大,例如压力传感器、温度传感器或光电二极管的输出信号处理。 - 在工业自动化领域,它可以用作信号隔离或驱动外部负载的中间级。 5. 通信设备 - 在通信系统中,MBT6429DW1T1G 可用于调制解调电路、滤波器或混频器的设计。 - 其高频性能使其适合无线通信、数据传输等应用。 6. 消费类电子产品 - 该型号广泛应用于消费类电子产品中,如家用电器、游戏控制器、遥控器等,用于驱动小型执行器或处理低功率信号。 7. 汽车电子 - 在汽车电子领域,MBT6429DW1T1G 可用于仪表盘显示驱动、车内灯光控制或传感器信号处理。 总结 MBT6429DW1T1G 的集成化设计和高性能使其成为许多电子系统的核心组件。它适用于需要多路信号处理、放大或开关控制的场景,同时具备良好的可靠性和稳定性,能够满足工业、消费和汽车领域的多样化需求。在实际应用中,具体电路设计需结合其电气参数和技术手册进行优化。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 45V 200MA SOT363两极晶体管 - BJT 200mA 55V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MBT6429DW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBT6429DW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 500 @ 100µA, 5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | MBT6429DW1T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 700 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 500 |
| 系列 | MBT6429DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 55 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.2 A |
| 频率-跃迁 | 700MHz |