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  • 型号: MBT6429DW1T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MBT6429DW1T1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MBT6429DW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBT6429DW1T1G价格参考。ON SemiconductorMBT6429DW1T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 200mA 700MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载MBT6429DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBT6429DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MBT6429DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极性晶体管 (BJT) 阵列。该型号属于晶体管阵列系列,集成了多个 BJT 晶体管单元,适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景:

 1. 信号放大
   - MBT6429DW1T1G 可用于音频、射频或其他信号的放大电路中。其内置的多个 BJT 单元可以实现多级信号放大,适合需要高增益和低噪声的应用。
   - 例如,在音频设备中,它可以用于前置放大器或功率放大器的驱动级。

 2. 开关电路
   - 该器件支持高速开关操作,可应用于各种开关电路,如继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制。
   - 在数字电路中,它可以用作逻辑电平转换或驱动高电流负载。

 3. 电源管理
   - 在电源管理领域,MBT6429DW1T1G 可用于线性稳压器中的调整管或保护电路中的限流元件。
   - 它还可以用作电池充电电路中的电流检测或控制元件。

 4. 传感器接口
   - 该器件可用于传感器信号的调理和放大,例如压力传感器、温度传感器或光电二极管的输出信号处理。
   - 在工业自动化领域,它可以用作信号隔离或驱动外部负载的中间级。

 5. 通信设备
   - 在通信系统中,MBT6429DW1T1G 可用于调制解调电路、滤波器或混频器的设计。
   - 其高频性能使其适合无线通信、数据传输等应用。

 6. 消费类电子产品
   - 该型号广泛应用于消费类电子产品中,如家用电器、游戏控制器、遥控器等,用于驱动小型执行器或处理低功率信号。

 7. 汽车电子
   - 在汽车电子领域,MBT6429DW1T1G 可用于仪表盘显示驱动、车内灯光控制或传感器信号处理。

 总结
MBT6429DW1T1G 的集成化设计和高性能使其成为许多电子系统的核心组件。它适用于需要多路信号处理、放大或开关控制的场景,同时具备良好的可靠性和稳定性,能够满足工业、消费和汽车领域的多样化需求。在实际应用中,具体电路设计需结合其电气参数和技术手册进行优化。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DUAL NPN 45V 200MA SOT363两极晶体管 - BJT 200mA 55V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MBT6429DW1T1G-

数据手册

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产品型号

MBT6429DW1T1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

500 @ 100µA, 5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

其它名称

MBT6429DW1T1GOSCT

功率-最大值

150mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

700 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)

最大功率耗散

150 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流集电极/BaseGainhfeMin

500

系列

MBT6429DW1

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

55 V

集电极—射极饱和电压

0.6 V

集电极连续电流

0.2 A

频率-跃迁

700MHz

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