【晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列_NST847BDP6T5G】封装/厂家_NST847BDP6T5G中文资料_价格

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型号： NST847BDP6T5G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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NST847BDP6T5G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NST847BDP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NST847BDP6T5G价格参考￥4.66-￥4.66。ON SemiconductorNST847BDP6T5G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN（双） 45V 100mA 100MHz 350mW 表面贴装 SOT-963。您可以下载NST847BDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NST847BDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为NST847BDP6T5G的器件属于安森美半导体（ON Semiconductor）的双极型晶体管（BJT）阵列产品。该器件内部集成了多个晶体管，常用于需要多个晶体管配合工作的电路设计中。

其主要应用场景包括：

1. 电源管理电路：如DC-DC转换器、负载开关等，用于控制电源通断或调节输出电压。
2. 逻辑电平转换：在数字电路中实现不同电压域之间的信号转换，例如将3.3V逻辑信号转换为5V逻辑信号。
3. 接口电路：用于微控制器、FPGA或传感器等器件与外围设备之间的信号驱动或隔离。
4. 继电器或LED驱动：用于驱动小型继电器、LED指示灯或LED显示屏等负载。
5. 放大电路：在低频、小信号条件下作为开关或线性放大元件使用。
6. 汽车电子：因其高可靠性和稳定性，也广泛应用于汽车控制系统中，如车灯控制、传感器信号处理等。

该器件采用小型封装，节省PCB空间，适用于高密度电路设计，同时降低了设计复杂度和元件数量，提高了系统稳定性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS DUAL NPN 45V 100MA SOT963两极晶体管 - BJT DUAL NPN GP TRANS
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NST847BDP6T5G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NST847BDP6T5G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	600mV @ 5mA，100mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	200 @ 2mA，5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	SOT-963
其它名称	NST847BDP6T5GOSDKR
功率-最大值	350mW
包装	Digi-Reel®
发射极-基极电压VEBO	6 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	100 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SOT-963
封装/箱体	SOT-963
工厂包装数量	8000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	2 NPN（双）
最大功率耗散	420 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.1 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	45V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	200 at 2 mA at 5 V
直流集电极/BaseGainhfeMin	200 at 2 mA at 5 V
系列	NST847BDP6
配置	Dual
集电极—发射极最大电压VCEO	45 V
集电极—基极电压VCBO	50 V
频率-跃迁	100MHz