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Datasheet下载- 型号： UMX3NTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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UMX3NTR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供UMX3NTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMX3NTR价格参考。ROHM SemiconductorUMX3NTR封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN（双） 50V 150mA 180MHz 150mW 表面贴装 UMT6。您可以下载UMX3NTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有UMX3NTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的UMX3NTR是一款双极性晶体管（BJT）阵列器件，常用于需要多个晶体管集成的小型化电路设计中。该器件由多个NPN晶体管组成，适用于各种通用开关和放大应用。 UMX3NTR的应用场景主要包括： 1. 数字开关电路：适用于逻辑电路中的开关控制，如驱动LED、继电器或小型电机等负载。 2. 信号放大电路：用于音频或射频信号的前置放大，适合低噪声和高增益要求的场合。 3. 电源管理电路：在DC-DC转换器或稳压电路中作为开关元件使用。 4. 传感器接口电路：用于传感器信号的调理与放大，如温度、压力传感器等。 5. 通信设备：在无线通信模块中用于信号处理和放大。 6. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、穿戴设备等对空间要求较高的电子产品中，利用其阵列结构节省PCB空间。 UMX3NTR采用小型封装，具有良好的高频特性和稳定性，适合高密度安装和自动化生产。由于其集成多个晶体管于单一芯片，有助于减少外围元件数量、提高系统可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 50V 150MA 6UMT两极晶体管 - BJT DUAL NPN 50V 150MA SOT-363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor UMX3NTR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | UMX3NTR |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
| 其它名称 | UMX3NTRCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | UMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
| 集电极连续电流 | 150 mA |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
