Datasheet下载- 型号： ZXTC2063E6TA
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTC2063E6TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTC2063E6TA价格参考￥2.77-￥7.54。Diodes Inc.ZXTC2063E6TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXTC2063E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXTC2063E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXTC2063E6TA是一款双极型晶体管（BJT）阵列，广泛应用于需要高精度、低功耗和小型化的电路设计中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 信号切换与放大： ZXTC2063E6TA适用于音频设备、传感器接口和通信系统中的信号切换和放大。其高性能的电流增益和低噪声特性使其成为处理弱信号的理想选择。 2. 电源管理： 在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中，该器件可用于稳压器、负载开关和电池保护电路，提供高效的电源管理功能。 3. 电机驱动与控制： 该晶体管阵列可用于小型直流电机或步进电机的驱动与控制，支持精确的速度调节和方向控制，适合家用电器、玩具和自动化设备。 4. 消费电子： 在电视遥控器、游戏控制器和其他消费电子产品中，ZXTC2063E6TA能够实现按键扫描、红外信号传输等功能，同时保持低功耗。 5. 工业自动化： 该型号可用于工业控制模块中的输入/输出接口电路，例如PLC（可编程逻辑控制器）和数据采集系统，提供可靠的信号处理能力。 6. 汽车电子： 在车载娱乐系统、车灯控制和传感器监测等应用中，ZXTC2063E6TA以其出色的热稳定性和可靠性满足严苛的工作环境要求。 7. 医疗设备： 该晶体管阵列可用于便携式医疗设备（如血糖仪、脉搏血氧仪）中的信号调理和功率管理，确保设备的准确性和安全性。 总之，ZXTC2063E6TA凭借其紧凑的设计、优异的电气性能和广泛的适用性，在多种领域中发挥重要作用，为现代电子产品的高效运行提供支持。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V SOT23-6两极晶体管 - BJT 40V 1A Medium Power TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTC2063E6TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTC2063E6TA |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 195mV @ 350mA，3.5A / 175mV @ 300mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 10mA，2V / 200 @ 1A，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 其它名称 | ZXTC2063E6TR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 190 MHz, 270 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 1700 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3.5 A at NPN, 3 A at PNP |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3.5A，3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 at 10 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 at 10 mA at 2 V at NPN, 280 at 1 A at 2 V at NPN, 40 at 3.5 A at 2 V at NPN, 300 at 10 mA at 2 V at PNP, 200 at 1 A at 2 V at PNP, 20 at 3 A at 2 V at PNP |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 45 V, 150 V |
| 频率-跃迁 | 190MHz，270MHz |
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