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产品简介:
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PBSS4032SP,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极结型晶体管(BJT)阵列,属于 SOT457 封装的双 NPN 晶体管器件。该器件具有高电流增益、低饱和电压和良好的开关性能,适用于多种中低功率模拟与数字电路应用。 典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关或电源路径控制,凭借其低导通压降特性提高能效。 2. 信号放大:在音频或传感器信号调理电路中作为小信号放大器使用。 3. 逻辑驱动与电平转换:在微控制器与外围设备之间实现逻辑电平转换或增强驱动能力。 4. LED驱动:广泛用于便携设备背光或指示灯的恒流驱动电路。 5. 电机控制与继电器驱动:在小型直流电机或电磁继电器的开关控制中充当驱动级。 由于其采用节省空间的SOT457封装,特别适合对尺寸敏感的便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端。此外,该器件符合RoHS标准,具备良好的可靠性和温度稳定性,适用于工业控制、消费电子和汽车电子中的非安全关键类应用(如车载信息娱乐系统)。 综上,PBSS4032SP,115是一款高性价比、多功能的双BJT阵列器件,适用于需要高效开关与信号处理的中低功率场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 30V 4.8A 8SO |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PBSS4032SP,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 510mV @ 250mA,5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 150 @ 2A,2V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-6401-1 |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双) |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 4.8A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 频率-跃迁 | 115MHz |