Datasheet下载- 型号： PBSS4032SP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4032SP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4032SP,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4032SP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS4032SP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4032SP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4032SP,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-666 封装，内置两个独立的 NPN 晶体管（共发射极配置），具有高增益（hFE 典型值 250@Ic=100mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 120mV@Ic=100mA）、高集电极电流能力（IC = 320mA）及良好热稳定性。 其典型应用场景包括： 1. 中小功率开关电路：如 LED 驱动、继电器/电磁阀控制、小型电机启停等，利用其快速开关特性与低导通损耗； 2. 逻辑电平转换与信号缓冲：在微控制器（如 ARM、AVR、PIC）IO 口驱动能力不足时，用作电平提升或电流放大级； 3. 电源管理辅助电路：如负载开关、电池充放电路径控制、LDO 使能信号调理等； 4. 工业与消费类电子接口电路：如传感器信号调理、编码器输出驱动、总线端口保护（配合限流电阻使用）； 5. 空间受限的紧凑型设计：SOT-666 小尺寸封装适合便携设备、智能穿戴、IoT 模块等对PCB面积敏感的应用。 该器件不适用于高频射频放大或大功率线性放大场景，但凭借高可靠性、AEC-Q100 兼容（部分批次）、宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C）及成熟工艺，在汽车电子（如车身控制模块）、工业自动化及家电控制等领域广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 30V 4.8A 8SO |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBSS4032SP,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 510mV @ 250mA，5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 2A，2V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-6401-1 |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4.8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 频率-跃迁 | 115MHz |
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