图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： HN1B01F-GR(TE85L,F
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HN1B01F-GR(TE85L,F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN1B01F-GR(TE85L,F价格参考￥0.45-￥0.80。Toshiba America Electronic Components, Inc.HN1B01F-GR(TE85L,F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HN1B01F-GR(TE85L,F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HN1B01F-GR(TE85L,F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRAN PNP/NPN -50V -0.15A SM6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1B01F |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HN1B01F-GR(TE85L,F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SM6 |
| 其它名称 | HN1B01F-GR(TE85LFTR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 80 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SM-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大直流电集电极电流 | 150 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.1 V |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
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