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Datasheet下载- 型号： MRF8S9100HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S9100HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S9100HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S9100HR3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 500mA 920MHz 19.3dB 72W NI-780。您可以下载MRF8S9100HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S9100HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S9100HR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为 900 MHz 频段（典型工作频段：860–960 MHz）设计，具备100 W连续波（CW）输出功率能力与高效率（典型PAE > 65%）。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站：广泛用于4G LTE及5G NR宏基站、微基站的末级功率放大器（PA），尤其适用于900 MHz低频段覆盖，兼顾覆盖范围与穿透能力； - 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型蜂窝（Small Cell）和远程射频单元（RRU）中的宽带/多载波射频功放模块； - 工业与广播应用：适用于ISM频段（如915 MHz）的RF加热、等离子体发生器、医疗射频设备，以及数字电视（DTV）或FM广播发射机的中功率放大级； - 测试与测量仪器：作为信号源或功率放大模块，用于射频一致性测试、EMC预兼容测试系统等。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热性能与高可靠性，支持高VSWR耐受（10:1），适合严苛环境下的连续高功率运行。配合NXP推荐的匹配电路与偏置方案，可实现宽带匹配与线性度优化（支持DPD数字预失真技术），满足现代通信系统对效率、线性度与稳定性的综合要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S9100HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 72W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.3dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 70V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 920MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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