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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMMT5551-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMMT5551-7价格参考。Diodes Inc.DMMT5551-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMMT5551-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMMT5551-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMMT5551-7是由Diodes Incorporated生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要高增益和高频响应的电路设计中。该器件内部包含多个匹配良好的晶体管,适合需要一致性与稳定性较高的应用场景。 其主要应用场景包括: 1. 模拟放大电路:用于信号放大,特别是在音频放大器和传感器信号调理电路中,因其高增益特性可提升信号质量。 2. 高频开关电路:适用于需要快速开关特性的数字和模拟电路,如DC-DC转换器、电源管理模块等。 3. 差分放大器:由于内部晶体管具有良好的匹配特性,常用于构建高精度差分放大电路,提升电路的共模抑制比。 4. 电压调节电路:可用于稳压电源中的控制部分,协助实现输出电压的稳定调节。 5. 工业控制与通信设备:广泛应用于工业自动化系统、通信模块、嵌入式控制系统中,作为信号处理与驱动的核心元件。 DMMT5551-7具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适合在复杂电磁环境中使用,是高性能电子系统中常用的晶体管阵列器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品分立半导体产品 |
描述 | TRANS DUAL NPN 160V 200MA SOT26TRANS DUAL NPN 160V 200MA SOT26 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列晶体管(BJT) - 阵列 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMMT5551-7 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | -- |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA200mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V80 @ 10mA,5V |
产品目录绘图 | |
供应商器件封装 | SOT-26SOT-26 |
其它名称 | DMMT5551DICT |
功率-最大值 | 300mW300mW |
包装 | 带卷 (TR)剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6SOT-23-6 |
晶体管类型 | 2 NPN(双)配对2 NPN(双)配对 |
标准包装 | 13,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 160V160V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA200mA |
电流-集电极截止(最大值) | -- |
频率-跃迁 | 300MHz300MHz |