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详细数据请看参考数据手册
- 型号： EMX2DXV6T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMX2DXV6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMX2DXV6T5G价格参考。ON SemiconductorEMX2DXV6T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMX2DXV6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMX2DXV6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor生产的型号为EMX2DXV6T5G的双极结型晶体管（BJT）阵列，主要应用于需要小型化、高可靠性和低功耗的电子电路中。该器件集成了两个匹配良好的NPN型晶体管，采用紧凑的表面贴装封装（如SOT-23或类似小型封装），适用于空间受限的便携式设备。 典型应用场景包括： 1. 信号放大电路：用于音频或小信号放大，适合消费类电子产品中的前置放大器设计。 2. 开关电路：广泛应用于LED驱动、继电器控制、电源管理模块等数字开关场合，具备快速响应和稳定导通特性。 3. 逻辑电平转换：在微控制器与外围设备之间进行电平匹配，常见于工业控制和通信接口电路。 4. 传感器信号调理：配合各类传感器（如温度、光敏传感器）使用，实现微弱信号的预处理与驱动。 5. 便携式设备：因其低功耗和小型封装，常用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对尺寸和能效要求较高的产品中。 EMX2DXV6T5G具有良好的热稳定性、一致的电气参数和高增益特性，确保了在批量应用中的一致性与可靠性。同时，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。总体而言，该BJT阵列是中小功率模拟与数字电路中的理想选择，尤其适合追求高集成度和稳定性能的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT563两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor EMX2DXV6T5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | EMX2DXV6T5G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 357 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 系列 | EMX2DXV6 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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