Datasheet下载- 型号： MBT3904DW1T3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBT3904DW1T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBT3904DW1T3G价格参考。ON SemiconductorMBT3904DW1T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MBT3904DW1T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBT3904DW1T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBT3904DW1T3G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管 (BJT) 阵列。该型号属于 MBT 系列，具体为 NPN 型晶体管阵列，广泛应用于多种电子电路设计中。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 - MBT3904DW1T3G 可用于音频信号放大、射频信号放大等场景。由于其低噪声特性和高增益性能，适合在需要精确信号放大的应用中使用，例如麦克风前置放大器或无线通信设备中的信号增强。 2. 开关电路 - 在数字电路中，该晶体管可用作开关元件。例如，在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制中，它能够实现高效的电流切换功能。 3. 电源管理 - 该器件适用于低功耗电源管理电路，例如稳压器中的误差放大器或反馈回路控制。其低饱和电压特性有助于提高效率并减少能量损耗。 4. 传感器接口 - 在传感器信号调理电路中，MBT3904DW1T3G 可用作缓冲器或增益级，将微弱的传感器信号放大到可检测水平，例如温度传感器、压力传感器或光电二极管输出信号处理。 5. 音频设备 - 该晶体管可用于便携式音频设备（如耳机放大器或迷你扬声器系统）中的小功率音频信号处理和驱动。 6. 无线通信模块 - 在低功率无线通信模块中，该器件可以作为射频信号放大器的一部分，用于增强发射信号强度或接收信号质量。 7. 测试与测量设备 - 在精密测量仪器中，MBT3904DW1T3G 能够提供稳定的增益和低噪声性能，适合用于数据采集系统的前端信号处理。 特性总结 - 低噪声：适合高精度信号处理。 - 高增益：适用于需要较大电流放大的场合。 - 小型封装：节省空间，适合紧凑型设计。 - 可靠性高：能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。 综上所述，MBT3904DW1T3G 是一款多功能的 BJT 阵列晶体管，特别适合对成本敏感且需要高性能的小信号应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 40V 200MA SOT363两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MBT3904DW1T3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBT3904DW1T3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
| 系列 | MBT3904DW1 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 35 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 55 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
| 集电极连续电流 | - 2 A |
| 零件号别名 | MBT3904DW1T1G |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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