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  • 型号: ZXTD619MCTA
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTD619MCTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTD619MCTA价格参考。Diodes Inc.ZXTD619MCTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXTD619MCTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXTD619MCTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZXTD619MCTA是Diodes公司生产的一款双极型晶体管(BJT)阵列器件,主要应用于需要多个晶体管协同工作的电子电路中。该器件采用多晶体管封装形式,具有较高的集成度和稳定性。

典型应用场景包括:

1. 电源管理和开关电路:适用于DC-DC转换器、负载开关等场景,用于控制电源通断或调节输出电压。

2. 电机驱动电路:在小型电机或步进电机的驱动电路中作为功率开关使用,支持高效的电流控制。

3. 工业自动化控制:用于PLC、传感器接口及继电器驱动电路中,实现信号放大与隔离控制。

4. 汽车电子系统:如车灯控制模块、风扇控制单元等,具备良好的温度稳定性和抗干扰能力,适合车载环境。

5. 消费类电子产品:如智能家电、LED照明调光系统,用于实现高效能、小体积的设计需求。

该器件采用SOT-563封装,体积小巧,便于PCB布局,适合高密度组装。同时其具备一定的耐压和耐流能力,适合中低功率应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DUAL NPN 50V 4A 8DFN

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

ZXTD619MCTA

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

320mV @ 200mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 2A,2V

供应商器件封装

8-DFN(3x2)

其它名称

ZXTD619MCTACT

功率-最大值

1.7W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-WDFN 裸露焊盘

晶体管类型

2 NPN(双)

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

频率-跃迁

165MHz

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