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Datasheet下载- 型号： HN3A51F(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HN3A51F(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN3A51F(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.HN3A51F(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HN3A51F(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HN3A51F(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 HN3A51F(TE85L,F) 的晶体管由 Toshiba Semiconductor and Storage 生产，属于 双极性晶体管（BJT）阵列 类别。该器件通常包含多个集成的BJT晶体管，常用于需要多个晶体管协同工作的电路设计中。 应用场景主要包括： 1. 逻辑电路与开关电路：由于其集成多个晶体管，适用于构建逻辑门、驱动电路及信号切换应用，尤其在需要紧凑设计和高可靠性的场合。 2. 放大电路：可用于音频或信号放大电路中，作为前置放大器或多级放大器中的增益单元。 3. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动、传感器接口等，HN3A51F能提供稳定的开关与信号处理功能。 4. 消费类电子产品：如电视、音响设备、打印机等，用于电源管理、信号处理和接口驱动。 5. 汽车电子：用于车载控制系统，如ECU（电子控制单元）、车灯控制、电机驱动等，具备一定的抗干扰能力和稳定性。 该器件采用SOP（小外形封装）封装形式，适合表面贴装工艺，适用于自动化生产。由于其封装尺寸小、集成度高，特别适合空间受限的高密度电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP SM6 PLN两极晶体管 - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.10A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=HN3A51F&lang=en |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba HN3A51F(TE85L,F)- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HN3A51F(TE85L,F)HN3A51F(TE85L,F) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SM6 |
| 其它名称 | HN3A51F(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SOT-26 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大直流电集电极电流 | - 100 mA |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 700 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 120 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.3 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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