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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NST3904DXV6T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NST3904DXV6T5G价格参考。ON SemiconductorNST3904DXV6T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NST3904DXV6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NST3904DXV6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NST3904DXV6T5G是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,内部集成了两个独立的NPN型晶体管,采用SOT-563(SC-88)小型封装,适用于高密度、空间受限的电路设计。该型号基于经典的2N3904晶体管特性优化,具备良好的开关和放大性能。 其典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备:由于其小尺寸封装和低功耗特性,广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换、电平转换和驱动电路。 2. 电源管理与逻辑控制:在DC-DC转换器、LDO使能控制、负载开关等电路中,作为开关元件实现通断控制,提高系统能效。 3. 接口电路与信号调理:用于微控制器与外围器件之间的信号缓冲、电平匹配和驱动,增强信号完整性。 4. 消费类电子产品:如家用电器、智能家居模块、遥控器等,用于继电器或LED驱动、传感器信号放大等。 5. 工业与汽车电子:适用于非高功率的控制模块,如传感器接口、继电器驱动、电机控制中的信号预处理级。 NST3904DXV6T5G符合RoHS标准,具有无铅、绿色环保的特点,且支持高可靠性工作,适合自动化贴片生产,是中小功率模拟与数字电路中经济高效的通用型解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DUAL NPN 40V 200MA SOT563两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Switching NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NST3904DXV6T5G- |
数据手册 | |
产品型号 | NST3904DXV6T5G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-563 |
其它名称 | NST3904DXV6T5GOSCT |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-563-6 |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
最大功率耗散 | 357 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
系列 | NST3904DXV6 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
集电极连续电流 | 0.2 A |
频率-跃迁 | 300MHz |