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  • 型号: NST3904DXV6T5G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NST3904DXV6T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NST3904DXV6T5G价格参考。ON SemiconductorNST3904DXV6T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NST3904DXV6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NST3904DXV6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的NST3904DXV6T5G是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,内部集成了两个独立的NPN型晶体管,采用SOT-563(SC-88)小型封装,适用于高密度、空间受限的电路设计。该型号基于经典的2N3904晶体管特性优化,具备良好的开关和放大性能。

其典型应用场景包括:

1. 便携式电子设备:由于其小尺寸封装和低功耗特性,广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的信号切换、电平转换和驱动电路。

2. 电源管理与逻辑控制:在DC-DC转换器、LDO使能控制、负载开关等电路中,作为开关元件实现通断控制,提高系统能效。

3. 接口电路与信号调理:用于微控制器与外围器件之间的信号缓冲、电平匹配和驱动,增强信号完整性。

4. 消费类电子产品:如家用电器、智能家居模块、遥控器等,用于继电器或LED驱动、传感器信号放大等。

5. 工业与汽车电子:适用于非高功率的控制模块,如传感器接口、继电器驱动、电机控制中的信号预处理级。

NST3904DXV6T5G符合RoHS标准,具有无铅、绿色环保的特点,且支持高可靠性工作,适合自动化贴片生产,是中小功率模拟与数字电路中经济高效的通用型解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL NPN 40V 200MA SOT563两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Switching NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NST3904DXV6T5G-

数据手册

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产品型号

NST3904DXV6T5G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 10mA,1V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-563

其它名称

NST3904DXV6T5GOSCT

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-563-6

工厂包装数量

8000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)

最大功率耗散

357 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

40

系列

NST3904DXV6

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

集电极—射极饱和电压

0.3 V

集电极连续电流

0.2 A

频率-跃迁

300MHz

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