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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT3946YPN,125由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT3946YPN,125价格参考。NXP SemiconductorsPMBT3946YPN,125封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMBT3946YPN,125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBT3946YPN,125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBT3946YPN,125 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极性晶体管(BJT)阵列,采用 SOT-666 封装,内部集成一个 NPN(BC846B)和一个 PNP(BC856B)晶体管,共发射极配置,具有匹配的电气特性与紧凑布局。其典型应用场景包括: - 数字逻辑电平转换与接口驱动:常用于微控制器(如 ARM、AVR、PIC)I/O 口扩展,驱动 LED、小功率继电器、蜂鸣器或逻辑门输入,实现高低电平双向切换。 - 互补推挽输出级:在低功耗信号放大或简单开关电路中,构成 Class-B 或 AB 类输出结构,用于音频前置放大、传感器信号调理等。 - 电源管理辅助电路:如负载开关控制、电池供电设备中的使能/关断逻辑、LDO 使能信号反相等。 - 工业与消费电子传感接口:配合光耦、霍尔传感器或按钮开关,构建抗干扰的输入检测电路(如上拉/下拉切换、边沿触发)。 该器件具备高增益(hFE 200–450)、低饱和压降(VCE(sat) < 0.3 V @ IC = 10 mA)、宽工作温度范围(−65°C 至 +150°C)及 AEC-Q101 认证(适用于汽车级应用),因此也见于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)等对可靠性要求较高的场景。 注意:不适用于大电流(IC > 100 mA)或高频(>100 MHz)主功率开关,应搭配限流电阻与必要保护器件使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V 200MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT NPN/PNP 40 V 200 mA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT3946YPN,125- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBT3946YPN,125 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934061453125 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN,PNP |
| 最大功率耗散 | 230 mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极连续电流 | 200 mA |
| 频率-跃迁 | 300MHz |