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  • 型号: EMZ1DXV6T5
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供EMZ1DXV6T5由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMZ1DXV6T5价格参考。ON SemiconductorEMZ1DXV6T5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载EMZ1DXV6T5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EMZ1DXV6T5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为EMZ1DXV6T5的晶体管属于安森美半导体(ON Semiconductor)的双极结型晶体管(BJT)阵列产品。该器件内部集成了多个晶体管,通常用于需要高集成度和一致性的电路设计中。

EMZ1DXV6T5的主要应用场景包括:

1. 放大电路:适用于音频放大器、信号放大器等需要高增益和稳定性的场合,其阵列结构有助于提高电路一致性与可靠性。

2. 开关电路:由于其快速开关特性,可用于数字电路、电源管理、LED驱动等需要高频切换的应用。

3. 传感器接口电路:在工业控制、汽车电子等领域,用于将传感器微弱信号进行放大与处理。

4. 汽车电子:ON Semiconductor的产品广泛应用于汽车系统,该器件可用于车载传感器、执行器控制或车载充电系统中。

5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中用于信号处理或电源控制模块。

该器件采用小型封装,适合高密度PCB布局,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于多种中低功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN/PNP 60V 100MA SOT563

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

EMZ1DXV6T5

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 1mA,6V

供应商器件封装

SOT-563

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

晶体管类型

NPN,PNP

标准包装

8,000

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

180MHz,140MHz

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