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  • 型号: QSZ4TR
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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QSZ4TR产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供QSZ4TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QSZ4TR价格参考¥1.63-¥2.39。ROHM SemiconductorQSZ4TR封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 30V 2A 280MHz 1.25W Surface Mount TSMT5。您可以下载QSZ4TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有QSZ4TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的型号QSZ4TR是一款双极性晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要多个晶体管集成在一个封装中的应用场合。该器件具有多个独立的晶体管单元,适合用于放大电路、开关电路、逻辑电平转换、驱动电路等场景。

QSZ4TR主要应用于以下领域:

1. 数字与模拟开关电路:用于控制电流流向,作为电子开关使用,常见于电源管理、负载控制等场景。
2. 信号放大电路:在音频、传感器信号处理等领域,作为前置放大或功率放大元件。
3. 逻辑电平转换:在不同电压系统之间进行信号转换,例如将微控制器的信号适配至高电压端的外设。
4. LED驱动与继电器驱动:用于驱动LED灯组、小型继电器等负载,常见于工业控制、汽车电子中。
5. 嵌入式系统与消费电子:因其封装紧凑、集成度高,适用于空间受限的电子产品设计,如智能手机、家电控制模块等。

该晶体管阵列器件具有良好的稳定性和可靠性,适合工业级与消费级应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN/PNP 30V 2A 5TSMT

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列

品牌

Rohm Semiconductor

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产品图片

产品型号

QSZ4TR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

370mV @ 75mA,1.5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

270 @ 200mA,2V

供应商器件封装

TSMT5

其它名称

QSZ4DKR

功率-最大值

1.25W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-23-5 细型,TSOT-23-5

晶体管类型

NPN,PNP(耦合发射器)

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

频率-跃迁

280MHz

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