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产品简介:
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Nexperia USA Inc.的PMBT3946VPN,115是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要多个晶体管集成的电子电路设计中。该型号由两个PNP晶体管组成,采用SOT457封装,具有体积小、功耗低和开关性能优良的特点。 其典型应用场景包括: 1. 逻辑电平转换与接口电路:适用于数字电路中不同电压域之间的信号转换,如将微控制器的输出信号适配到外围设备所需的电平。 2. 驱动电路:可用于LED、小型继电器或蜂鸣器等负载的开关控制,尤其适合低功率驱动应用。 3. 放大电路:作为前置放大级或音频信号的小信号放大使用,适用于传感器信号调理等场景。 4. 电源管理:在DC-DC转换器或稳压电路中作为开关元件使用,协助实现高效的电源转换。 5. 工业控制与消费类电子产品:广泛应用于家电、自动化控制系统及通信设备中,用于信号处理和控制功能。 由于其封装小巧、性能稳定,PMBT3946VPN,115特别适合对空间要求高且需可靠性的便携式设备和高密度PCB设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V 200MA SOT666两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT3946VPN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBT3946VPN,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934063474115 |
| 功率-最大值 | 240mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN,PNP |
| 最大功率耗散 | 240 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 200 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 60 at 0.1 mA at 1 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 200 mA |
| 频率-跃迁 | 300MHz,250MHz |