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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NST857BDP6T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NST857BDP6T5G价格参考。ON SemiconductorNST857BDP6T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NST857BDP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NST857BDP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NST857BDP6T5G的晶体管属于安森美半导体(ON Semiconductor)的双极型晶体管(BJT)阵列产品。该器件集成了多个晶体管单元,通常用于需要高集成度和稳定性的电路设计中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:可用于开关电源、DC-DC转换器中的控制和驱动电路,提供稳定的电流放大和开关功能。 2. 电机驱动和继电器控制:在工业自动化和家电控制中,该晶体管阵列可用于驱动小型电机、继电器或电磁阀,实现高效可靠的开关控制。 3. 逻辑电平转换与缓冲:在数字电路中作为电平转换器或缓冲器,用于增强信号驱动能力或实现不同电压域之间的接口。 4. LED驱动:适用于LED显示屏或照明系统的驱动电路,提供均匀的电流分配和良好的热稳定性。 5. 汽车电子:因其可靠性和耐用性,也常用于汽车控制系统中,如车身控制模块、车灯驱动和传感器接口等。 该器件采用小型封装,适合高密度PCB布局,且具有良好的热性能和电气特性,适用于多种中低功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DUAL PNP 45V 100MA SOT963两极晶体管 - BJT DUAL PNP GP TRANS SOT-963 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NST857BDP6T5G- |
数据手册 | |
产品型号 | NST857BDP6T5G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 700mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 220 @ 2mA,5V |
产品种类 | Logic- Multiplexers |
供应商器件封装 | SOT-963 |
功率-最大值 | 350mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-963 |
封装/箱体 | SOT-963 |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | 2 PNP(双) |
最大功率耗散 | 420 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 8,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 220 at 2 mA at 5 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 220 at 2 mA at 5 V |
系列 | NST857BDP6 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
频率-跃迁 | 100MHz |