ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SIHP30N60E-E3
Datasheet下载- 型号： SIHP30N60E-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP30N60E-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP30N60E-E3价格参考。VishaySIHP30N60E-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 29A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB。您可以下载SIHP30N60E-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHP30N60E-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIHP30N60E-E3是一款N沟道功率MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其600V的耐压能力使其能够承受高电压环境，适合用于工业和消费类电源产品。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，SIHP30N60E-E3可以作为开关器件来控制电机的启动、停止和速度调节。它支持高效切换，降低能耗，适用于家用电器、电动工具等领域的电机驱动。 3. 逆变器：可用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，将直流电转换为交流电。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高转换效率。 4. 不间断电源（UPS）系统：在UPS中用作开关元件，确保在市电中断时快速切换到备用电池供电模式，同时保持稳定的输出电压。 5. 负载开关与保护电路：由于其高耐压特性和良好的热稳定性，这款MOSFET也适用于过流保护、短路保护等场合，保障电子设备的安全运行。 6. 电动车及混合动力车（EV/HEV）：可能应用于车载充电器、电池管理系统（BMS）或辅助电力系统中，以实现高效的能量管理。 总结来说，SIHP30N60E-E3凭借其高击穿电压、低导通电阻以及优秀的动态性能，非常适合需要高性能、高可靠性的功率转换和控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220ABMOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiHP30N60E-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHP30N60E-E3SiHP30N60E-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Qg-GateCharge | 85 nC |
| Qg-栅极电荷 | 85 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | SIHP30N60EE3 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 5.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
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