ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > PMBT3904YS,115
Datasheet下载- 型号： PMBT3904YS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT3904YS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT3904YS,115价格参考￥0.18-￥0.18。NXP SemiconductorsPMBT3904YS,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 350mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PMBT3904YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBT3904YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBT3904YS,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，采用 SOT363（SC-88）小型表面贴装封装，内含两个独立的 NPN 晶体管（共发射极配置），基于成熟的 3904 通用晶体管技术优化设计。其典型应用场景包括： 1. 信号切换与逻辑电平转换：在低功耗数字电路中驱动LED、继电器或MCU I/O扩展，利用其高电流增益（hFE 100–300 @ IC = 10 mA）和快速开关特性（fT ≈ 300 MHz）实现可靠通断； 2. 多路模拟信号放大/缓冲：适用于便携式音频设备（如耳机放大前置级）、传感器信号调理电路（如温度、光敏电阻输出放大），双通道结构节省PCB面积并保证通道一致性； 3. 电源管理辅助电路：在DC-DC转换器或LDO中用作使能控制、电压检测比较器的输出级，或用于电池供电设备的负载开关； 4. 工业与消费类嵌入式系统：广泛应用于智能电表、IoT节点、打印机控制板、家电主控板等对尺寸、成本和可靠性要求较高的场景。 该器件具备±8 kV HBM ESD防护（符合IEC 61000-4-2 Level 4）、宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C）及AEC-Q200兼容性（部分批次），适合严苛环境。其小尺寸、双通道集成优势显著降低布板复杂度，是替代分立SOT23单管方案的高性价比选择。（字数：398）
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 40V 200MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT3904YS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBT3904YS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6489-1 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz at NPN, 250 MHz at PNP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 230 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 200 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 200 mA |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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